Номер детали производителя : | 1N5417 TR | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N5417 TR(1).pdf1N5417 TR(2).pdf1N5417 TR(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N5417 TR |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N5417 TR(1).pdf1N5417 TR(2).pdf1N5417 TR(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.1 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | GPR-4AM |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns |
Упаковка / | R-4, Axial |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 150pF @ 12V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 3A GPR-4AM
DIODE GEN PURP REV 200V 3A B
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64
Interface
DIODE GEN PURP 200V 3A B
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64